Транзистор XNF20N60T

XNF20N60T — це високовольтний n-канальний транзистор MOSFET (металооксидний напівпровідниковий польовий транзистор) з низьким опором у відкритому стані, призначений для використання в ланцюгах управління живленням, інверторах, перетворювачах та інших високовольтних додатках.

Основні характеристики XNF20N60T

• Тип транзистора: n-канальний MOSFET.
• Максимальна напруга сток-витік: 600 В.
• Максимальний струм стоку: 20 А при температурі корпусу 25°C.
• Опір відкритого каналу: 0.27 Ом при VGS_{GS}GS= 10 В.
• Максимальна потужність розсіювання: 220 Вт при температурі корпусу 25°C.
• Порогова напруга затвора: 2 – 4 Ст.
• Максимальна температура переходу: 150°C.
• Тип корпусу: TO-220, зручний для монтажу на радіатор та паяння на плату.
• Ємкість входу: 2470 пФ.

Додаткові особливості

• Висока ефективність: низький опір у відкритому стані (RDS(on)_{DS(on)}DS(on)) забезпечує мінімальні втрати потужності.
• Швидке перемикання: завдяки малому часу перемикання, підходить для високочастотних програм.
• Захист від перенапруги: витримує високу напругу та струми завдяки покращеній конструкції напівпровідника.
• Універсальність застосування: підходить для використання в джерелах живлення, схемах управління двигунами, інверторах та інших високовольтних ланцюгах.

XNF20N60T — це надійне та ефективне рішення для управління живленням та перетворення енергії в різних електронних пристроях та системах.