Транзистор XNF20N60T

XNF20N60T — это высоковольтный n-канальный MOSFET транзистор (металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор) с низким сопротивлением в открытом состоянии, предназначенный для использования в цепях управления питанием, инверторах, преобразователях и других высоковольтных приложениях.

Основные характеристики XNF20N60T

• Тип транзистора: n-канальный MOSFET.
• Максимальное напряжение сток-исток: 600 В.
• Максимальный ток стока: 20 А при температуре корпуса 25°C.
• Сопротивление открытого канала: 0.27 Ом при VGS_{GS}GS​ = 10 В.
• Максимальная мощность рассеяния: 220 Вт при температуре корпуса 25°C.
• Пороговое напряжение затвора: 2 – 4 В.
• Максимальная температура перехода: 150°C.
• Тип корпуса: TO-220, удобный для монтажа на радиатор и пайки на плату.
• Ёмкость входа: 2470 пФ.

Дополнительные особенности

• Высокая эффективность: низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)_{DS(on)}DS(on)​) обеспечивает минимальные потери мощности.
• Быстрое переключение: благодаря малому времени переключения, подходит для высокочастотных приложений.
• Защита от перенапряжения: выдерживает высокие напряжения и токи благодаря улучшенной конструкции полупроводника.
• Универсальность применения: подходит для использования в источниках питания, схемах управления двигателями, инверторах и других высоковольтных цепях.

XNF20N60T — это надежное и эффективное решение для управления питанием и преобразования энергии в различных электронных устройствах и системах.