Транзистор CRJQ80N65F

CRJQ80N65F — это высоковольтный n-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для использования в мощных преобразователях, инверторах, источниках питания, системах управления двигателями и других приложениях, требующих высокой производительности и надежности при управлении большими токами и напряжениями.

Основные характеристики CRJQ80N65F

1. Тип транзистора: n-канальный MOSFET.
2. Максимальное напряжение сток-исток: 650 В.
3. Максимальный ток стока: 80 А при температуре корпуса 25°C.
4. Сопротивление открытого канала: 0.04 Ом при VGS_{GS}GS​ = 10 В.
5. Максимальная мощность рассеяния: 540 Вт при температуре корпуса 25°C.
6. Пороговое напряжение затвора: 2 – 4 В.
7. Максимальная температура перехода: 150°C.
8. Тип корпуса: TO-247, предназначен для крепления на радиатор для улучшения теплоотвода.
9. Ёмкость входа: около 5300 пФ.

Дополнительные особенности

• Низкое сопротивление открытого канала: обеспечивает минимальные потери мощности и эффективное управление мощностью.
• Высокая стойкость к импульсным токам: выдерживает значительные пиковые нагрузки, что делает его идеальным для использования в импульсных источниках питания и инверторах.
• Быстрое переключение: благодаря низкой индуктивности и малому времени включения и выключения, подходит для высокочастотных приложений.
• Защита от перегрева: высокая термическая стабильность и эффективное управление теплом через корпус TO-247.
• Широкий спектр применения: используется в промышленной автоматике, источниках питания серверов, силовой электронике, солнечных инверторах и других устройствах, требующих работы с высоким напряжением и мощностью.

CRJQ80N65F представляет собой надежное решение для управления высокими токами и напряжениями в различных силовых и промышленных приложениях, обеспечивая стабильность и эффективность при использовании в сложных электрических цепях.