Транзистор YGP20N65T2

Ожидаем поставку

Артикул: EF81

Наличие уточняйте

₴ 35

Доставка По Украине по тарифам перевозчика; Курьером по Киеву от 200грн (в зависимости от района); Самовывоз Оплата Минимальная сумма заказа - 250 грн; Наличным при получении; Безналичный расчет; На карту банка Гарантия 14 дней с момента приобретения товара Обмен и возврат Товар с дефектами подлежит возврату и обмену при соблюдении гарантийных условий

Описание товара
Характеристики
Отзывов0
Вопросы0

YGP20N65T2 — IGBT-транзистор с встроенным диодом, предназначенный для применения в силовой электронике. Он обеспечивает эффективное управление высокими напряжениями и токами, что делает его подходящим для использования в инверторах, преобразователях и других мощных электронных устройствах.

Основные характеристики:

Тип транзистора: IGBT с встроенным диодом;
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 650 В;
Максимальный постоянный ток коллектора: 40 А при 25 °C;
Максимальная рассеиваемая мощность: 125 Вт;
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1,65 В при 25 °C;
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 В;
Время нарастания: 40 нс;
Корпус: TO-220.

Благодаря низкому напряжению насыщения и высокой скорости переключения, YGP20N65T2 обеспечивает надежную работу в приложениях, требующих высокой производительности и эффективности.

*В зависимости от поставки внешний вид и комплектация могут отличаться от изображений на сайте. Внешний вид не влияет на качество и характеристики продукта.

Основные

Тип

транзистор

Гарантия

14 дней

Отзывы

0/ 5

средний рейтинг товара