Транзистор YGP20N65T2

YGP20N65T2 — IGBT-транзистор с встроенным диодом, предназначенный для применения в силовой электронике. Он обеспечивает эффективное управление высокими напряжениями и токами, что делает его подходящим для использования в инверторах, преобразователях и других мощных электронных устройствах.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: IGBT с встроенным диодом;
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 650 В;
• Максимальный постоянный ток коллектора: 40 А при 25 °C;
• Максимальная рассеиваемая мощность: 125 Вт;
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1,65 В при 25 °C;
• Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 В;
• Время нарастания: 40 нс;
• Корпус: TO-220.

Благодаря низкому напряжению насыщения и высокой скорости переключения, YGP20N65T2 обеспечивает надежную работу в приложениях, требующих высокой производительности и эффективности.

*В зависимости от поставки внешний вид и комплектация могут отличаться от изображений на сайте. Внешний вид не влияет на качество и характеристики продукта.