Транзистор YGW75N65FP

YGW75N65FP — це високовольтний n-канальний MOSFET-транзистор, призначений для використання в різних силових додатках, таких як джерела живлення, перетворювачі, інвертори, керування двигунами та інше обладнання, що потребує роботи з великими струмами та напругою. Він забезпечує надійне перемикання та високу ефективність завдяки низькому опору у відкритому стані.

Основні характеристики YGW75N65FP

1. Тип транзистора: n-канальний MOSFET.
2. Максимальна напруга сток-витік: 650 В.
3. Максимальний струм стоку: 75 А при температурі корпусу 25°C.
4. Опір відкритого каналу: 0.018 Ом при VGS_{GS}GS= 10 В.
5. Максимальна потужність розсіювання: 500 Вт при температурі корпусу 25°C.
6. Максимальна температура переходу: 150°C.
7. Тип корпусу: TO-247, розроблений для кріплення на радіатор для покращення тепловідведення.

Додаткові особливості:

• Низький опір відкритого каналу (RDS(on)_{DS(on)}DS(on)]: мінімізує втрати потужності, підвищуючи ефективність роботи.
• Висока стійкість до імпульсних струмів: здатний витримувати значні пікові струми, що робить його ідеальним для роботи в силових ланцюгах з імпульсним режимом.
• Швидке перемикання: Мінімальний час увімкнення та вимкнення підходить для високочастотних програм, таких як інвертори та перетворювачі.
• Термостабільність: ефективне управління температурою завдяки корпусу TO-247 та низькому тепловому опору між переходом та радіатором.
• Широкий спектр застосування: використовується в джерелах живлення серверів, сонячних інверторах, пристроях керування двигунами, промислових контролерах та інших додатках, що потребують надійного та ефективного керування високими струмами та напругами.

YGW75N65FP — це потужний і надійний MOSFET-транзистор, що підходить для використання в різних силових та промислових додатках, що вимагають високої продуктивності та надійності при роботі з високими напругами та струмами.