Транзистор NVF2955T1G

NVF2955T1G — це p-канальний MOSFET-транзистор, призначений для керування потужними навантаженнями у різних електронних схемах. Він широко використовується в додатках, таких як комутація та керування електроживленням, перетворювачі DC-DC, захист від перевантаження по струму та інших схемах, де потрібне керування струмом за відносно низького опору відкритого каналу.

Основні характеристики NVF2955T1G

• Тип транзистора: p-канальний MOSFET.
• Максимальна напруга сток-витік: -60 В.
• Максимальний струм стоку: -12 А при температурі корпусу 25°C.
• Опір відкритого каналу: 0.23 Ом
• Максимальна потужність розсіювання: 50 Вт при температурі корпусу 25°C.
• Порогова напруга затвора: -2.0 (максимум).
• Максимальна температура переходу: 150°C.
• Тип корпусу: SOT-223, що дозволяє використовувати транзистор у компактних та щільних схемах.

Додаткові особливості:

• Низький опір відкритого каналу: знижує втрати потужності, що робить транзистор ефективним для керування електроживленням.
• Широкий діапазон робочих температур: від -55°C до +150°C, що робить його придатним для використання в складних та екстремальних умовах експлуатації.
• Компактний корпус SOT-223: підходить для використання у схемах з обмеженим простором на платі, забезпечуючи гарне розсіювання тепла.
• Захист від перегріву: висока термічна стійкість та можливість використання у високопотужних додатках.
• Універсальність застосування: використовується в ланцюгах управління та комутації, у тому числі в низьковольтних джерелах живлення та схемах захисту.

NVF2955T1G є ефективним рішенням для управління навантаженнями та розподілу потужності в різних електронних пристроях, пропонуючи низькі втрати та стабільну роботу в компактних корпусах.