Транзистор CRJQ80N65F

CRJQ80N65F — це високовольтний n-канальний MOSFET-транзистор, призначений для використання в потужних перетворювачах, інверторах, джерелах живлення, системах управління двигунами та інших додатках, що потребують високої продуктивності та надійності при керуванні великими струмами та напругами.

Основні характеристики CRJQ80N65F

1. Тип транзистора: n-канальний MOSFET.
2. Максимальна напруга сток-витік: 650 В.
3. Максимальний струм стоку: 80 А при температурі корпусу 25°C.
4. Опір відкритого каналу: 0.04 Ом при VGS_{GS}GS= 10 В.
5. Максимальна потужність розсіювання: 540 Вт при температурі корпусу 25°C.
6. Порогова напруга затвора: 2 – 4 Ст.
7. Максимальна температура переходу: 150°C.
8. Тип корпусу: TO-247, призначений для кріплення на радіатор для покращення тепловідведення.
9. Ємкість входу: близько 5300 пФ.

Додаткові особливості

• Низький опір відкритого каналу: забезпечує мінімальні втрати потужності та ефективне управління потужністю.
• Висока стійкість до імпульсних струмів: витримує значні пікові навантаження, що робить його ідеальним для використання в імпульсних джерелах живлення та інверторах.
• Швидке перемикання: завдяки низькій індуктивності та малому часу увімкнення та вимкнення, підходить для високочастотних додатків.
• Захист від перегріву: висока термічна стабільність та ефективне керування теплом через корпус TO-247.
• Широкий спектр застосування: використовується в промисловій автоматиці, джерелах живлення серверів, силовій електроніці, сонячних інверторах та інших пристроях, що потребують роботи з високою напругою та потужністю.

CRJQ80N65F являє собою надійне рішення для управління високими струмами та напругами в різних силових та промислових додатках, забезпечуючи стабільність та ефективність при використанні у складних електричних ланцюгах.

*Залежно від постачання зовнішній вигляд та комплектація можуть відрізнятися від зображень на сайті. Зовнішній вигляд не впливає на якість та характеристики продукту.