Транзистор YGW75N65FP

YGW75N65FP — это высоковольтный n-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для использования в различных силовых приложениях, таких как источники питания, преобразователи, инверторы, управление двигателями и другое оборудование, требующее работы с большими токами и напряжениями. Он обеспечивает надежное переключение и высокую эффективность благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии.

Основные характеристики YGW75N65FP

1. Тип транзистора: n-канальный MOSFET.
2. Максимальное напряжение сток-исток: 650 В.
3. Максимальный ток стока: 75 А при температуре корпуса 25°C.
4. Сопротивление открытого канала: 0.018 Ом при VGS_{GS}GS​ = 10 В.
5. Максимальная мощность рассеяния: 500 Вт при температуре корпуса 25°C.
6. Максимальная температура перехода: 150°C.
7. Тип корпуса: TO-247, разработан для крепления на радиатор для улучшения теплоотвода.

Дополнительные особенности:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)_{DS(on)}DS(on)​): минимизирует потери мощности, повышая эффективность работы.
• Высокая стойкость к импульсным токам: способен выдерживать значительные пиковые токи, что делает его идеальным для работы в силовых цепях с импульсным режимом.
• Быстрое переключение: малое время включения и выключения подходит для высокочастотных приложений, таких как инверторы и преобразователи.
• Термостабильность: эффективное управление температурой благодаря корпусу TO-247 и низкому тепловому сопротивлению между переходом и радиатором.
• Широкий спектр применения: используется в источниках питания серверов, солнечных инверторах, устройствах управления двигателями, промышленных контроллерах и других приложениях, требующих надежного и эффективного управления высокими токами и напряжениями.

YGW75N65FP — это мощный и надежный MOSFET-транзистор, подходящий для использования в различных силовых и промышленных приложениях, требующих высокой производительности и надежности при работе с высокими напряжениями и токами.