Транзистор NVF2955T1G

NVF2955T1G — это p-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для управления мощными нагрузками в различных электронных схемах. Он широко используется в приложениях, таких как коммутация и управление электропитанием, преобразователи DC-DC, защита от перегрузки по току и других схемах, где требуется управление током при относительно низком сопротивлении открытого канала.

Основные характеристики NVF2955T1G

• Тип транзистора: p-канальный MOSFET.
• Максимальное напряжение сток-исток: -60 В.
• Максимальный ток стока: -12 А при температуре корпуса 25°C.
• Сопротивление открытого канала: 0.23 Ом
• Максимальная мощность рассеяния: 50 Вт при температуре корпуса 25°C.
• Пороговое напряжение затвора: -2.0 В (максимум).
• Максимальная температура перехода: 150°C.
• Тип корпуса: SOT-223, что позволяет использовать транзистор в компактных и плотных схемах.

Дополнительные особенности:

• Низкое сопротивление открытого канала: снижает потери мощности, что делает транзистор эффективным для управления электропитанием.
• Широкий диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C, что делает его пригодным для использования в сложных и экстремальных условиях эксплуатации.
• Компактный корпус SOT-223: подходит для использования в схемах с ограниченным пространством на плате, обеспечивая хорошее рассеивание тепла.
• Защита от перегрева: высокая термическая устойчивость и возможность использования в высокомощных приложениях.
• Универсальность применения: используется в цепях управления и коммутации, в том числе в низковольтных источниках питания и схемах защиты.

NVF2955T1G является эффективным решением для управления нагрузками и распределения мощности в различных электронных устройствах, предлагая низкие потери и стабильную работу в компактных корпусах.