Транзистор IGP15T60F

IGP15T60F — это IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 600 В и максимальным постоянным током коллектора 26 А. Он обеспечивает высокую эффективность и надежность в приложениях, требующих управления большими токами и напряжениями.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: IGBT с N-каналом;
• Максимальная рассеиваемая мощность: 130 Вт;
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 600 В;
• Максимальное напряжение эмиттер-затвор: 20 В;
• Максимальный постоянный ток коллектора: 26 А при 25°C;
• Типичное напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1,5 В при 25°C.

Благодаря своим характеристикам, IGP15T60F широко применяется в источниках питания, инверторах и других силовых электронных устройствах, где требуется эффективное управление высокими напряжениями и токами.

*В зависимости от поставки внешний вид и комплектация могут отличаться от изображений на сайте. Внешний вид не влияет на качество и характеристики продукта.